2018新材料国际发展趋势高层论坛

杨德仁

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职位/职称: 教授

单位: 浙江大学

报告论坛: 大会论坛

报告题目: 微量掺锗直拉硅单晶的生长和缺陷控制

简历:

杨德仁,中国科学院院士,浙江大学教授,现任浙江大学半导体材料研究所所长,硅材料国家重点实验室主任。兼任国家重大科技专项(02)专家组成员、光伏专委会副主任等。从事半导体硅材料的研究,涉及极大规模集成电路用硅材料、太阳能光伏硅材料、硅基光电子材料和纳米半导体材料。

摘要:

硅晶体材料不仅是微电子产业的基础材料,其制备、缺陷和性质对微电子器件的性能、可靠性和成品率具有至关重要的作用。
我们发明了微量掺锗硅晶体及其系列晶体生长技术,提出在晶体生长时,通过有意加入微量锗原子,用来调控晶体硅中的缺陷,以改善晶体硅的性能和质量。在本报告中,综述了近年来我们研究组在微量掺锗直拉晶体硅的研究进展,阐述了掺锗对硅晶体微缺陷(COP)、外延位错等作用,说明了其和氧杂质的互相作用,以及对内吸杂性能、硅片机械性能的影响,并介绍了其对B-O复合体的作用,以及对太阳电池光衰减的影响等等。最后,介绍了我们提出的硅晶体“杂质工程”的概念。

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重要日期

会议开始时间

2018-09-16

会议结束时间

2018-09-18

报到时间

2018-09-16

poster提交截止日期

2018-08-30

报告人摘要提交截止日期

2018-08-25

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