陈春林

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职位/职称: 研究员

单位: 中国科学院金属研究所

报告论坛: 材料界面与控制分论坛

报告题目: 四氧化三铁中界面原子电子结构与磁学性能

简历:

陈春林,中国科学院金属研究所研究员,创新课题组组长,中组部青年千人,日本东北大学兼职教授。2007年于金属研究所获博士学位,2007~2017年先后在日本大阪大学、东北大学工作,历任博士后、助理教授与副教授。主要从事像差校正电子显微学、超硬材料、微电子材料与磁性材料等研究,着重研究了材料界面原子与电子结构对其力学、电学与磁学等性能的影响。在Nature CommunicationsNano LettersACS Nano等重要学术期刊上发表论文70余篇。多项研究成果被新闻媒体和Nature Chemistry报道。

摘要:


界面磁性耦合是磁性材料研究领域的基础科学问题,对理解多晶磁性材料的磁学行为、进而调控其磁学性能至关重要。本研究利用像差校正扫描透射电子显微术测定了Fe3O4中反相畴界与孪晶界的原子与电子结构;在此基础上,利用差分相衬成像技术(DPC STEM)直接测定了反相畴界与孪晶界的磁性耦合类型,确立了反相畴界与孪晶界的原子/电子结构与其界面磁性耦合之间一一对应的直接关系;综合电子显微成像与磁性耦合测试所得的结果,通过基于密度泛函理论的共线磁结构计算,阐明了Fe3O4中反相畴界与孪晶界的原子/电子结构影响其界面磁性耦合的机理。

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会议开始时间

2019-09-24

会议结束时间

2019-09-26

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2019-09-24

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2019-10-30

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