褚衍辉

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职位/职称: 副研究员

单位: 华南理工大学

报告论坛: 优秀青年科学家论坛

报告题目: 新型SiC纳米材料的可控生长及其机理研究

简历:

  • 褚衍辉,华南理工大学副研究员。哈佛大学联合培养博士。主要从事高温结构陶瓷及其纳米材料研究,发表SCI论文50余篇,被引用1000余次,H因子21,授权国家发明专利14项,获首届中国材料研究学会优秀博士论文奖,入选2017-2019年度中国科协“青年人才托举工程”项目。

摘要:

新型SiC纳米材料特殊的形貌和结构使其因具有一系列独特的物理化学性质,因此在各领域均展现出巨大的应用前景。如何有效地实现它们的可控生长是实现该材料广泛应用的关键,为此,我们采用CVD法成功地实现了一些新型SiC纳米材料的可控生长,如螺纹状的纳米线/片、竹节/项链状的纳米线、中空的纳米带以及带-线组合的纳米异质结构等,分析了它们的生长热/动力学,发现了螺位错生长和高温Plateau-Rayleigh生长等新型的纳米材料生长机理,并建立了相应的生长模型,丰富和发展了纳米材料的生长模型,为实现新型纳米材料的可控生长提供了理论指导。

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重要日期

会议开始时间

2019-09-24

会议结束时间

2019-09-26

报到时间

2019-09-24

论坛全文提交截止时间

2019-10-30

POSTER 提交截止时间

2019-07-30

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