职位/职称: 研究员

单位: 中国科学院苏州纳米研究所

报告论坛: 电子信息功能材料分论坛

报告题目: 氮化镓材料生长和应用进展

简历:

徐科,中国科学院苏州纳米研究员,杰青、国家千人计划特聘专家。长期从事氮化物材料生长研究,曾荣获“求是杰出青年奖”、全国产学研合作创新成果奖,中国电子学会高级会员、电子材料专业委员会副主任委员。

摘要:

III族氮化物半导体材料具有优异的光电特性,目前在半导体照明等领域取得巨大应用成功。过去三十年的氮化物半导体都是基于异质外延生长来制备器件,我们最近十多年发展了氮化镓单晶的生长技术,包括气相法和液相法,生长获得了2~6一寸的氮化镓单晶材料,本报告首先介绍III族氮化物半导体材料的物性及高质量材料的生长制备方法进展,然后围绕III族氮化物在半导体照明、激光显示、功率电子等应用领域发展所面临的科学和技术难题展开讨论,并对III族氮化物同质外延技术在未来光电子和电子器件的应用前景和产业发展趋势进行展望分析。

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重要日期

会议开始时间

2019-09-24

会议结束时间

2019-09-26

报到时间

2019-09-24

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2019-10-30

POSTER 提交截止时间

2019-07-30

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