2018新材料国际发展趋势高层论坛

陶绪堂

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职位/职称: 教授

单位: 山东大学

报告论坛: 电子信息功能材料分论坛

报告题目: 宽禁带半导体氧化镓晶体和器件研究进展

简历:

陶绪堂,山东大学教授、长江学者、杰青、基金委创新研究群体学术带头人,晶体材料国家重点实验室主任。长期从事功能晶体材料研究,发表学术论文400余篇,连续四年(2014-2017)入选爱思唯尔中国高被引学者榜单。

摘要:

氧化镓晶体(禁带宽度4.8 eV)作为一种优异的超宽禁带半导体材料,具有禁带宽度大、击穿场强高、器件损耗低的优点,未来将在中低压低损耗器件、日盲探测,特别是在高压功率器件方面具有广阔的应用前景。随着β-Ga2O3基电力电子器件及紫外探测器性能的逐渐提高,β-Ga2O3基微电子及光电子器件正快速走向产业化。本报告将介绍国际上氧化镓晶体材料制备及器件研究方面的发展概况以及本课题组在氧化镓晶体生长、加工、器件应用等方面的进展情况。

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重要日期

会议开始时间

2018-09-16

会议结束时间

2018-09-18

报到时间

2018-09-16

poster提交截止日期

2018-08-30

报告人摘要提交截止日期

2018-08-25

联系方式

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传真:029-86282362
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